三星向宿敵低頭？破天荒成台積電客戶！為奪輝達HBM訂單首度妥協

外媒最新報導指出，南韓三星電子將打破長達數年的「一站式全包」生產模式，採用台積電的 3 奈米製程，為輝達下一代 HBM 製造基底裸片 (base die)。

韓媒《首爾經濟日報》今 (18) 日引述消息人士報導，輝達已向三星、SK 海力士及美光三家供應商提出統一要求，基底裸片必須使用台積電 3 奈米工製成，核心裸片則統一採用第六代 DRAM 工藝 (1c)，這一要求源於各供應商製造方案差異導致性能不穩，標準化可大幅減輕輝達的驗證工作量。

報導指出，三星設備解決方案事業部經內部評估後，決定接受輝達要求。三星此次調整僅針對輝達客製化的 HBM4E 產品。對於標準版 HBM 及面向超微等其他客戶的產品，三星仍將保留全包生產策略。

目前，三星已全球率先量產第六代 HBM4，第七代 HBM4E 正進行量產驗證，兩款產品的基底裸片均採用三星自研 4 奈米製程。

值得注意的是，三星並未完全放棄自主生產能力。一位業內人士透露，三星正同步驗證能否在自有產線製造輝達 HBM 基底裸片，作為防範台積電產能不足的備案，此舉顯示在 AI 晶片競爭白熱化下，三星正以靈活策略平衡技術自主與客戶需求。

（本文出自鉅亨網）